日前我們獲悉，比利時歐洲微電子中心研究項目研發，在此次項目中，IMEC與材料公司、圖像傳感器公司、設備供應商和技術集成商合作，研發了實用的創新定制化CMOS成像技術。
該款傳感器基于一個薄膜光電探測器打造，而該光電探測器單片集成于定制化硅-互補金屬氧化物半導體SWIR圖像傳感器，而且具有很大的成本和尺寸優勢，甚至可以應用于工業機器視覺、智能基礎設施、汽車、監控、生命科學和消費電子產品等對成本要求比較高的新應用。
在某些應用中，短波紅外線反轉連接到硅讀出電路。此類傳感器具有高靈敏性，但是大規模生產該項技術十分昂貴，而且在像素的尺寸和數量上具有局限性，也阻礙其在看重成本、分辨率以及/或尺寸的市場中得到采用。
IMEC提出了一種替代性解決方案，通過將薄膜光電探測器堆棧單片集成于Si-CMOS讀出電路上，制成了具有小至1.82微米、創紀錄像素間距的圖像傳感器。與1400納米波長的峰值吸收層相對應，該款光電探測器像素堆棧實現了一個薄薄的吸收層，如5.5納米PbS量子點。通過調節納米晶體的尺寸可以調節峰值吸收波長，并可將波長擴展至2000納米以上。在SWIR峰值波長處，可實現18%的外量子效率。其中，光電探測器單片集成至一個定制的讀出電路，采用130納米CMOS技術進行處理。在該讀出電路中，采用三像素設計優化法以在130納米技術節點內縮放像素尺寸，最終讓該SWIR圖像傳感器原型的像素小至創紀錄的1.82微米。
編輯點評：
這種全新的傳感器雖然仍處在試驗階段，但其具有高精度的特性，未來一旦量產，應用在汽車自動駕駛領域，收集的行駛數據更為準確。這有利于終端對數據進行處理，從而使得自動駕駛的效率更高。
標簽：notag
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