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    車規級SiC功率模塊封裝與應用技術論壇即將于8月8-9日在青島召開

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    時間:1900/1/1 0:00:00

    目前,許多模塊封裝機制仍然使用硅基模塊的封裝結構和技術,因此很難實現SiC MOSFET的優越性能。封裝技術已經成為阻礙碳化硅功率模塊在電子控制領域應用的一大瓶頸。什么是先進的SiC功率模塊封裝,如何提高封裝的散熱效率和可靠性,降低雜散電感參數,如何優化封裝成本,是業界最關心的問題。為此,中國汽車工程學會將于8月8-9日在青島舉辦SiC功率模塊封裝與應用技術論壇,邀請中科院電工所、SAIC捷能、Yole dédevelopment、威派科技、博格華納、法雷奧、博世、英飛凌、丹佛斯、CRRC時代半導體等企業的高水平技術專家,分享最新SiC功率模塊封裝及應用技術動態和創新技術:采用SiC模塊的電控系統的開發和發展策略;世界碳化硅模塊關鍵封裝技術分析與趨勢:SiC模塊封裝AMB復合基板的設計方法,銀/銅燒結,銅引線/銅板鍵合,高溫樹脂塑封技術分析新一代功率模塊用基板代替引線鍵合英飛凌新一代SiC主驅動逆變器解決方案:SiC的創新和創新封裝形式雜散電感2.8 nH,芯片間最大溫差10k。汽車級碳化硅功率模塊封裝技術。SiC模塊密度增加帶來的散熱和可靠性問題的解決方案。碳化硅逆變器應用效率提高技術。將組織高層互動論壇,探討什么是汽車級SiC功率模塊的夢想封裝技術。這將是汽車行業首個聚焦電驅動系統SiC功率模塊封裝技術的論壇,由半導體、模塊、電驅動系統、整車產業鏈上下游、科研機構共同探討。部分嘉賓及發言如下:

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    整個論壇的具體議程如下:

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    SiC功率模塊應該達到多少動態性能參數,如何優化散熱和傳熱效率,如何將可靠性循環試驗轉化為整車企業認可的循環壽命,如何達到應用端要求的低成本,都處于模糊狀態。原因是整車企業應用SiC功率模塊是摸著石頭過河,各自為戰。汽車公司閉門造車,半導體公司閉門造模塊。就可靠性和其他指標而言,很難在車輛和模塊之間建立直接的聯系。什么是車輛級SiC功率模塊?全行業需要達成共識,才能在接下來的創新中探索出符合實際應用要求的技術路線。針對以上問題,論壇將特別設置高層互動環節,擬邀請一汽集團、SAIC捷能、博格華納、英飛凌、丹佛斯、CRRC時代半導體等企業的技術高層,共同探討如何打造車企夢寐以求的SiC功率模塊。這也將是汽車行業首次就與SiC功率模塊封裝相關的敏感話題進行專門的交流和互動。

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    同時還將舉辦第十四屆汽車傳動與驅動技術國際研討會,具體安排如下:

    superior, faw目前很多模塊封裝機制還是采用Si基模塊的封裝結構和工藝,很難達到SiC MOSFET的優越性能。封裝技術已經成為阻礙碳化硅功率模塊在電子控制領域應用的一大瓶頸。什么是先進的SiC功率模塊封裝,如何提高封裝的散熱效率和可靠性,降低雜散電感參數,如何優化封裝成本,是業界最關心的問題。為此,中國汽車工程學會將于8月8-9日在青島舉辦SiC功率模塊封裝與應用技術論壇,邀請中科院電工所、SAIC捷能、Yole dédevelopment、威派科技、博格華納、法雷奧、博世、英飛凌、丹佛斯、CRRC時代半導體等企業的高水平技術專家,分享最新SiC功率模塊封裝及應用技術動態和創新技術:采用SiC模塊的電控系統的開發和發展策略;世界碳化硅模塊關鍵封裝技術分析與趨勢:SiC模塊封裝AMB復合基板的設計方法,銀/銅燒結,銅引線/銅板鍵合,高溫樹脂塑封技術分析新一代功率模塊用基板代替引線鍵合英飛凌新一代SiC主驅動逆變器解決方案:SiC的創新和創新封裝形式雜散電感2.8 nH,芯片間最大溫差10k。汽車級碳化硅功率模塊封裝技術。SiC模塊密度增加帶來的散熱和可靠性問題的解決方案。碳化硅逆變器應用效率提高技術。將組織高層互動論壇,探討什么是汽車級SiC功率模塊的夢想封裝技術。這將是汽車行業首個聚焦電驅動系統SiC功率模塊封裝技術的論壇,由半導體、模塊、電驅動系統、整車產業鏈上下游、科研機構共同探討。部分嘉賓及發言如下:

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    標簽:優越一汽

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