8月30日，半導體解決方案提供商瑞薩電子公司宣布開發出新一代Si-IGBT(硅絕緣柵雙極晶體管)。該產品體積小，功耗低，可用于下一代電動汽車逆變器。
圖片來源:瑞薩
根據該公司的計劃，2023年上半年，AE5 IGBT將在日本瑞薩電子中田工廠的200毫米和300毫米晶圓生產線上量產。2024年上半年，瑞薩電子將開始提高其位于日本甲府的新功率半導體300mm晶圓廠的產量，以滿足市場對功率半導體產品日益增長的需求。8月30日，半導體解決方案提供商瑞薩電子公司宣布開發出新一代Si-IGBT(硅絕緣柵雙極晶體管)。該產品體積小，功耗低，可用于下一代電動汽車逆變器。
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根據該公司的計劃，2023年上半年，AE5 IGBT將在日本瑞薩電子中田工廠的200毫米和300毫米晶圓生產線上量產。2024年上半年，瑞薩電子將開始提高其位于日本甲府的新功率半導體300mm晶圓廠的產量，以滿足市場對功率半導體產品日益增長的需求。
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